2010年對於全球半導體產業而言，可說是值得紀念的一年，拓墣產業研究所研究員陳蘭蘭表示，2010年全球半導體產業年成長率將高達30%，創下10年以來新高紀錄。然而，受到PC產業成長趨緩影響，2011年全球半導體產業僅將成長5%，行動通訊產品反成為支撐整體產業成長的重要動能。預估2011年行動通訊用產品占總體半導體比重將從2010年的26%提升至30%，Mobile DRAM和NAND Flash的重要性，也將隨著智慧型手機等行動通訊產品興起而與日俱增。

至於晶圓代工和DRAM產業，雖然2010年將各成長40%和80%，不過由於全球景氣緩慢復甦，加上2010年基期已高，2011年晶圓代工業產值預估仍僅將小幅度增長5.5%；DRAM產業則因小幅供過於求，將繳出負成長20%的慘綠成績，台廠處境愈顯艱困。拓墣建議，台灣半導體業者由於貼近亞太等新興國家市場，除可積極發展高階產品外，亦可仔細觀察新興市場需求與動態，朝向開發兼具低成本及符合新興市場特性的產品（如3 SIM卡/4 SIM卡手機晶片）發展。

DRAM慘澹經營 台廠前景有隱憂

2010年DRAM整體營收成長80%，是有史以來最好的一年，韓廠因此獲利大增、排名上升，Samsung僅1~9月總營收即達315.4億美元（28.39兆韓圜），直逼Intel營收規模；但台廠除力晶及瑞晶之外，南科、茂德及華亞科營收皆不如預期。

拓墣預估，2011年全球DRAM整體營收將較2010年下滑20%，僅322億美元，ASP也恐降至1.2~1.4美元/Gb的低水準，只有Samsung等具有成本優勢之國際大廠可能獲利，對於負債比仍高的台廠來說，2011年又將是艱困的一年。例如無財團支撐的茂德，除寄望Elpida或政府伸出援手外，恐別無他法。

Mobile DRAM 台灣布局要趁早

另一方面，近年為滿足智慧型手機等行動運算裝置使用需求，使得Mobile DRAM這類具有獨特省電特性的記憶體應運而生。另外，追求輕薄短小的手機也為記憶體帶來新挑戰，不僅耗電量要低，更要在有限空間內達到最大容量，只有採用最先進製程，才能符合所有的要求，故Mobile DRAM可望成為引領高端製程的新力量。

拓墣指出，Mobile DRAM不僅具備省電特性，最終產品型態也不同於一般記憶體模組。Mobile DRAM通常採用裸晶配合NAND Flash進行MCP封裝，或採用PoP（Package-on-Package）封裝，再與Application Processor堆疊組裝。無論裸晶圓測試或MCP封裝都必須有完整的配套，台灣DRAM產業應即早切入，發展出完整供應鏈，才能在Mobile DRAM市場佔一席之地。

NAND Flash 行動雲端帶動成長

而行動雲端運算新趨勢興起，智慧型手機等行動裝置可即時將時、空、影、音等各項資訊提供給資料中心（Data Center）中的雲端伺服器進行運算，以取得最佳結果。Mobile DRAM、NAND Flash在過程中將扮演更加重要角色，因此兩者占整體記憶體的比重也將逐漸增加。

雖然NAND Flash需求量大，但由於各大NAND Flash廠紛紛透過擴產、製程微縮及採用部份TLC顆粒等三種方式來搶攻市占率，預估2011年將有微幅供過於求的狀況，但價格可望維持一定水準。

在SSD部分，拓墣預估2011年開始採用2xnm MLC顆粒單位價格將降至與目前Server級硬碟（1美元/GB）相近水準，再配合先進ECC、Wear Leveling等技術延長使用壽命至伺服器等級，可望大幅度提高SSD在伺服器市場使用率。但由於SSD與PC/NB用硬碟仍存在相當大的價格差異（SSD單位價格約1美元/GB，PC/NB用硬碟僅0.1美元/GB），所以SSD在NB中的運用將仍將集中在1,500美元以上的中、高階機種。